Новый материал подарит нам полупроводники будущего

Материаловеды из Пенсильванского университета впервые смогли синтезировать двухмерный нитрид галлия путем инкапсуляции графена. В результате материал получил великолепные электронные свойства и прочность.

Вы скажете – а что даст нам этот материал? Многомерный нитрид галлия еще известен, как широкозонный полупроводник, дающий возможность электронным устройствам работать при гораздо больших напряжениях, частотах и температурах, чем обычные полупроводники. Выращивание нитрида галлия в двухмерной форме с помощью графена уплотняет структуру, превращая ее в широкозонные полупроводники с большим запасом возможностей.

Иными словами, новый материал существенно расширит возможности полупроводников, а значит в ближайшем будущем нас ждет серьезный скачок в развитии электроники.

Новости